收藏本站
NTMFS4934N
TYPICAL CHARACTERISTICS
180
160
3.6 V to 10 V
T J = 25 ° C
V GS = 3.4 V
200
180
V DS = 10 V
140
120
3.2 V
160
140
100
80
60
40
3.0 V
2.8 V
2.6 V
120
100
80
60
40
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
20
2.2 V
2.4 V
20
T J = ? 55 ° C
0
0
1 2 3 4
5
0
1
1.5 2 2.5 3 3.5
4
0.0028
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.0026
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.0026
0.0024
0.0022
0.0020
0.0018
0.0016
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.0024
0.0022
0.0020
0.0018
0.0016
0.0014
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.0014
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0012
20
40
60
80
100
120
140
160 180
1.7
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
100000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
I D = 30 A
V GS = 10 V
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTMFS4935NCT3G MOSFET N-CH 30V SO8-FL
NTMFS4936NCT3G MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL
NTMFS4937NT1G MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8 FL
NTMFS4939NT3G MOSFET N-CH 30V 9.3A SO8 FL
NTMFS4941NT3G MOSFET N-CH 30V 9A SO8 FL
NTMFS4943NT1G MOSFET N-CH 30V 8.3A SO8 FL
NTMFS4945NT3G MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8 FL
NTMFS5830NLT1G MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FL
相关代理商/技术参数
NTMFS4934NT3G 功能描述:MOSFET Power MOSFET 30V 147A 2m OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4935N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 93 A, Single N−Channel, SO−8 FL
NTMFS4935NBT1G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 93A 3.2 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4935NBT3G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 93A 3.2 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4935NCT1G 功能描述:MOSFET TRENCH 3 S08FL, 30V NCH M RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4935NCT3G 功能描述:MOSFET N-CH 30V SO8-FL RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTMFS4935NT1G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4935NT3G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube